郑厚植 - 中国科学院半导体研究所 -

个人简介

郑厚植,物理学家,1942年8月出生，籍贯江苏常州。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。1995年当选中国科学院院士。中国科学院半导体研究所研究员（1986年），博士生导师（1990年）。曾历任半导体超晶格国家重点实验室主任，学术委员会主任，中国科学院半导体研究所所长（1995-2002年）。自1986年至2015年期间历任各类国家重大研究计划首席专家。在半导体低维量子结构中的新效应研究方面取得多项重要成果：首次揭示了量子霍耳效应的尺寸效应和霍耳电势的空间分布特性；首次提出了用分裂栅电极实现准一维电子气的办法，揭示了准一维电子气的新奇量子特性，该方法已扩展成为制备和调控量子比特的重要方案之一；提出了空穴间多体相互作用诱导的磁阻理论并予以了实验验证；研究采用量子效应的新型量子器件等方面做出了许多有价值的成果。曾获中国科学院自然科学奖一等奖（1994），何梁何利科学与技术进步奖物理学奖（2007）。

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