博士，教授，硕士生导师。现就职于理学院物理系物理学学科。
名古屋工业大学机能工程（电子）专业，获工学硕士学位；
名古屋大学电气工程与计算机科学（电子）专业，获工学博士学位；
名古屋大学功能器件集成研究室博士后研究员。
名古屋大学功能器件集成研究室访问研究员。
研究方向：
（1）宽禁带半导体材料外延生长及光电探测器件
（2）等离子体气相淀积系统中半导体薄膜、纳米结构的生长机理和调控理论
（3）新一代高性能光伏技术，薄膜太阳能电池
从事半导体材料纳米结构的生长制备及纳米电子与光电子器件物理的研究。首次利用远程等离子体辅助表面处理技术可控制备超高密度半导体材料纳米量子点。
科研项目（近5年作为项目负责人的科研项目）
（1）国家自然科学基金项目（2018）。“远程氢气等离子体诱导Fe-Si系纳米结构的可控制备及其结晶相控制研究”
（2）内蒙古自治区自然科学基金面上项目（2020）。“远程氢气等离子体辅助高密度β-FeSi2纳米量子点的可控制备及其发光特性研究”
（3）国家自然科学基金项目（2022）。“基于有序磁性合金纳米点混合集成的自旋物性调控及新功能存储器应用”
（4）内蒙古自治区自然科学基金面上项目（2024）。“磁性有序Fe基合金纳米点垂直隧道结器件的构建及其自旋电子输运性质的研究”
指导研究生情况(近五年)
已指导毕业硕士生5人，现在读硕士3人。
主讲课程
本科生课程：《大学物理A（一）》、《大学物理A（二）》、《大学物理B》、电子信息科学与技术专业《专业外语》、《薄膜物理》等课程。
研究生课程：《薄膜技术与物理》、《现代物理测试技术》、《低维半导体物理》等课程。
学术兼职、人才工程或专家称谓
（1）中国物理学会终身会员;
（2）日本应用物理学会会员;
（3）日本表面真空学会会员;
（4）自治区321人才工程 第三层次（2020）;
（5）国家自然基金项目通讯评审专家。
（6）内蒙古自治区高等学校“青年科技英才支持计划”入选者
获奖情况
（1）NGK优秀留学生奖励
（2）Best Poster Award ECS AiMES 2018 (Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science) 2018 | Cancun, Mexico
发表论文
[14] L. Yang, D. Niu, Y. Zhang, X. Zhao, X. Li, J. Zhu, H. Zhang, Synergistic LPCVD and PECVD Growth of β-Ga2O3 Thin Films for High-Sensitivity and Low-Dose Direct X-Ray Detection, Nanomaterials. 15 (17), 1360 (2025).
[13] H. Zhang, D. Niu, J. Yang, X. Zhang, J. Zhu, and W. Li, “β-Ga2O3 Thin Films via an Inorganic Sol–Gel Spin Coating: Preparation and Characterization,” Nanomaterials 15(4), 277 (2025).
[12] C. Wu, X. Zhao, Q. Wang, H. Zhang*, P. Bai, Domain epitaxial matching of γ-CuI film grown on Al2O3(001) substrate via physical vapor transport, APL Mater. 12 (2024).
[11] J. Liu, H. Deng, X. Zhao, C. Wu, H. Zhang*, F. Lang, Investigation of the nano and micromechanical performance of β-Ga2O3 epitaxial films on sapphire using nanoindentation, Vacuum. 227 (2024) 113413.
[10] X. Zhang, X. Zhu, X. Zhao, H. Zhang*, W. Chen, Understanding the Thermodynamics of Si and Ge Concentration Variation in SiGeSn Nanowires, Phys. Status Solidi. (A) 2400261 (2024) 1–8.
[9] K. Zhang, L. Feng, L. Wang, J. Zhu, H. Zhang, S. Ha, J. Sun, H. Liang, T. Yang, Ga2O3/Ag/Ga2O3-Laminated Film Fabricated at Room Temperature: Toward Applications in Ultraviolet Transparent Highly Conductive Electrodes, Crystals. 13 (2023) 1018. 18.
[8] J. Zhu, Z. Xu, S. Ha, D. Li, K. Zhang, H. Zhang*, J. Feng, Gallium Oxide for Gas Sensor Applications: A Comprehensive Review, Materials (Basel). 15 (2022) 7339.
[7] J. WU, K. MAKIHARA, H. ZHANG*, N. TAOKA, A. OHTA, S. MIYAZAKI, Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots, IEICE Trans. Electron. E105.C (2022) 2021FUP0007.
[6] J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki, Characterization of Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots by Using a Magnetic AFM Probe, ECS Trans. 98 (2020) 493–498.
[5] H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki, High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Fe3Si Nanodots, ECS Trans. 86 (2018) 131–138.
[4] H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO2 induced by remote H2 plasma, Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 01AE20.
[3] R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda, S. Miyazaki, High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties, Trans. Mater. Res. Soc. Japan. 40 (2015) 347–350.
[2] A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara, S. Miyazaki, Resistance-switching characteristics of Si-rich oxide evaluated by using Ni nanodots as electrodes in conductive AFM measurements, IEICE Trans. Electron. E98C (2015) 406–410.
[1] H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara, S. Miyazaki, High density formation of iron nanodots on SiO2 induced by remote hydrogen plasma, Adv. Mater. Res. 750–752 (2013) 1011–1015.
科研创新
固态源等离子体增强化学气相沉积设备及方法，张海;牛鼎元;赵学平;杜赵新;崔晓明，专利号：ZL 202411489122.1
一种纵向堆叠集成的磁性纳米点存储器结构及其制备方法，张海;牛鼎元;赵学平;李新新;刘飞，专利号：ZL 202411488027.X
氧化镓异质外延薄膜的制备方法，张海，牛鼎元，赵学平，崔晓明，杨俊彪，刘全龙， 专利号：ZL 202411354861.X
畴外延生长γ-CuI薄膜的方法及γ-CuI薄膜，赵学平;吴崇;张海;白朴存;侯小虎;崔晓明;刘飞，专利号： ZL 202410218690.1
化学气相沉积管式炉管, 吴春钦，张海， 李铭，胡明丹，庞勍, 2022-2-24, 中国，专利号：ZL202122624067.0