宽带隙半导体材料与器件课题组是一支集材料、器件到应用为一体的研究团队，主要从事宽带隙半导体材料与紫外光电探测器件、一维铁磁纳米线合成与电磁器件、新型二维纳米材料与应用以及非易失性电控磁信息存储器件与应用等方面的研究，通过改进材料的制备与合成技术，以实现对其结构、缺陷和组份等方面性质的可控制备与合成；设计研制紫外光电探测器件、电磁器件、信息存储器件等，并探索器件集成组装的新方法；结合实验探索和理论计算，旨在理解材料物性的基础之上，构建高性能具有实用价值的光电子器件。课题组研究方向是当前半导体物理学、微电子学、薄膜物理学、纳米材料学以及材料化学等多学科交叉的新领域，是当前国际光电子领域的研究热点。课题组现阶段主要研究方向如下： 1. 宽带隙氧化物半导体材料生长和物性调控；2. 高性能紫外光电探测器件研制和应用开发；3. 氧化物半导体阻变效应和磁光电效应研究；4. 新型二维纳米材料的合成与光电(电)化学研究；5. 一维铁磁纳米线合成与电磁器件性能研究。