个人简介
张大成，教授，博导。
教育及工作经历：
1979-09到1984-07，北京工业大学半导体器件专业，学士学位；
2000和2005分别在北京大学获微电子学与固体电子学硕士和博士学位；
1987年北京市半导体器件三厂国内首条4吋进口集成电路生产线主任工程师；
1993年起在北京大学从事教学科研工作，1998-2022微纳电子学所/院/系副主任；
中国微米纳米技术学会副理事长、国家微机电标准委员会副主任委员。
学术成果：
1. "硅基MEMS加工技术及应用研究"2006年国家发明二等奖，2003年北京市科技进步一等奖；
2. "高效单面加工MEMS规模制造关键技术"2020年上海市发明一等奖；
3. 提案中国MEMS领域首个IEC标准微结构键合强度检测方法（62047-25）；
4. 2017年IEC 1906（杰出贡献专家）奖（当年国内专家获奖率≤1/800）；
5. 国内迄今仅有两个CMOS-MEMS集成化工艺研发项目负责人；
6. 行业内首创压阻芯片“机电工艺”一体化模型，实现压力计芯片规模制造的设计即所得；
7. 独创微结构力学特性片上试验方法，系列片上试验机不需要精密仪器辅助就可实现微结构键合、拉伸、弯曲、冲击断裂强度的量化检测，在工艺质量监控和MEMS芯片结构设计中得到应用。完成国家标准和国家标准提案各一项，另有三项国家标准和国家标准在提案申请中；
8. 国际上首次报道以电子束光刻加硅刻蚀技术制造7nm宽、350nm高、深宽比超过50:1的纳尺度硅结构制造技术；
9. 国内首次实现原创SOG标准工艺技术产业化转移，国内首次成功开发并验证了压力计芯片百万量级规模制造工艺技术；
10. 30多项微纳工艺、传感器、执行器、试验方法相关发明专利授权；
11. 负责建设管理的北大微电子工艺实验，交叉污染控制≤1ppm，实现MOSFET和MEMS芯片共线研制，至今无同行超越；“在美国大学还没有一所大学有类似的设施可与之媲美”（耶鲁校长、理查德莱文，2005-12-15《新闻周刊》“来自中国的挑战”）。
研究领域
1. 工艺相关微纳结构拉伸/弯曲/剪切/冲击断裂强度原位在线片上试验方法;
2. MEMS芯片工艺流程设计方法和工艺质量监控方法；
3. 基于微结构参数提取和机电工艺一体化模型的MEMS芯片设计即所得方法；
4. CMOS-MEMS单芯片集成化工艺方法；
5. 新型压阻类传感器芯片、低功耗快速响应化学气体传感器；
6. 系列MEMS微纳结构力学特性检测方法相关国家和国际（IEC）标准研究。
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1. "硅基MEMS加工技术及应用研究"2006年国家发明二等奖，2003年北京市科技进步一等奖；
2. "高效单面加工MEMS规模制造关键技术"2020年上海市发明一等奖；
3. 提案中国MEMS领域首个IEC标准微结构键合强度检测方法（62047-25）；
4. 2017年IEC 1906（杰出贡献专家）奖（当年国内专家获奖率≤1/800）；
5. 国内迄今仅有两个CMOS-MEMS集成化工艺研发项目负责人；
6. 行业内首创压阻芯片“机电工艺”一体化模型，实现压力计芯片规模制造的设计即所得；
7. 独创微结构力学特性片上试验方法，系列片上试验机不需要精密仪器辅助就可实现微结构键合、拉伸、弯曲、冲击断裂强度的量化检测，在工艺质量监控和MEMS芯片结构设计中得到应用。完成国家标准和国家标准提案各一项，另有三项国家标准和国家标准在提案申请中；
8. 国际上首次报道以电子束光刻加硅刻蚀技术制造7nm宽、350nm高、深宽比超过50:1的纳尺度硅结构制造技术；
9. 国内首次实现原创SOG标准工艺技术产业化转移，国内首次成功开发并验证了压力计芯片百万量级规模制造工艺技术；
10. 30多项微纳工艺、传感器、执行器、试验方法相关发明专利授权；
11. 负责建设管理的北大微电子工艺实验，交叉污染控制≤1ppm，实现MOSFET和MEMS芯片共线研制，至今无同行超越；“在美国大学还没有一所大学有类似的设施可与之媲美”（耶鲁校长、理查德莱文，2005-12-15《新闻周刊》“来自中国的挑战”）。
学术兼职
中国微米纳米技术学会副理事长、国家微机电标准委员会副主任委员。
京公网安备 11010802027423号