包含适度惰性的缺电子离域阴离子片段的弱配位阴离子（WCA）可实现强亲电试剂的分离。全氟硼酸根、全氟铝酸根和卤代碳硼烷阴离子是合成中常用的几类WCA。在氧化物表面应用类似设计策略颇具挑战。该论文通过Al(ORF)₃*PhF（RF为C(CF₃)₃）与700℃下脱羟基的二氧化硅（SiO₂-700）的反应形成了桥连硅烷醇≡Si-OH---Al(ORF)₃（1）。使用小簇对1进行建模的DFT计算表明，该桥接硅烷醇的气相酸度（GPA）比H₂SO₄的GPA低43.2 kcal·mol-1，但比最强的硼烷酸高，这表明，去质子化的1是WCA。1与NOct3的反应表明，1形成的离子对比经典WCA弱，但比碳硼烷或硼酸根阴离子强。尽管1比这些最新的WCA形成了更强的离子对，但1与烷基硅烷反应生成了硅离子型表面物种。这是在二氧化硅衍生物上负载硅离子的首个实例。

中文翻译：

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Al（ORF）3（RF = C（CF3）3）活化的二氧化硅：定义明确的弱配位表面杂质

全氟硼酸根，全氟铝酸根和卤代碳硼烷烯是合成中常用的几类该论文通过Al（ORF）₃ * PhF（RF为C（CF ₃）₃）与700℃下脱羟基的二氧化硅（SiO ₂ -700）的。反应形成了桥连二氧化硅醇≡Si-OH--- Al（ORF）₃（1）。使用小簇对1进行建模的DFT计算表明，该甲苯磺酸的气相酸度（GPA）比H ₂ SO ₄的GPA低43.2 kcal·mol-1，但比最强的硼烷酸高，这表明，去质子化的1是WCA。1与NOct3的反应表明，1形成的离子对比经典WCA弱，但比并且比这些最新的WCA形成了更强的离子对，但1与烷基烷基反应生成了硅离子型表面晶体。这是在二氧化硅衍生物上负载硅。离子的首个实例。