Recently, pulsed laser deposition (PLD) technology makes viable the epitaxial growth of group III-nitrides on thermally active substrates at low temperature. The precursors generated from the pulsed laser ablating the target has enough kinetic energy when arriving at substrates, thereby effectively suppressing the interfacial reactions between the epitaxial films and the substrates, and eventually makes the film growth at low temperature possible. So far, high-quality group III-nitride epitaxial films have been successfully grown on a variety of thermally active substrates by PLD. By combining PLD with other technologies such as laser rastering technique, molecular beam epitaxy (MBE), and metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), III-nitride-based light-emitting diode (LED) structures have been realized on different thermally active substrates, with high-performance LED devices being demonstrated. This review focuses on the epitaxial growth of group III-nitrides on thermally active substrates by PLD and their use in the development of LED devices. The surface morphology, interfacial property between film and substrate, and crystalline quality of as-grown group III-nitride films by PLD, are systematically reviewed. The corresponding solutions for film homogeneity on large size substrates, defect control, and InGaN films growth by PLD are also discussed in depth, together with introductions to some newly developed technologies for PLD in order to realize LED structures, which provides great opportunities for commercialization of LEDs on thermally active substrates.

最近，脉冲激光沉积（PLD）技术使低温下在热活性衬底上外延生长III族氮化物成为可能。由脉冲激光烧蚀靶产生的前体在到达基板时具有足够的动能，从而有效地抑制了外延膜与基板之间的界面反应，并最终使膜在低温下生长。到目前为止，已经通过PLD在各种热活性衬底上成功地生长了高质量的III族氮化物外延膜。通过将PLD与其他技术（例如激光光栅技术，分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD））相结合，基于III族氮化物的发光二极管（LED）结构已经在不同的热活性衬底上实现，并展示了高性能的LED器件。这篇综述着重于通过PLD在热活性衬底上外延生长III族氮化物及其在LED器件开发中的用途。通过PLD系统地审查了III族氮化物薄膜的表面形貌，薄膜与基底之间的界面性质以及晶体质量。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。展示了高性能LED器件。这篇综述着重于通过PLD在热活性衬底上外延生长III族氮化物及其在LED器件开发中的用途。通过PLD系统地审查了III族氮化物薄膜的表面形貌，薄膜与基底之间的界面性质以及晶体质量。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。展示了高性能LED器件。这篇综述着重于通过PLD在热活性衬底上外延生长III族氮化物及其在LED器件开发中的用途。通过PLD系统地审查了III族氮化物薄膜的表面形貌，薄膜与基底之间的界面性质以及晶体质量。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。这篇综述着重于通过PLD在热活性衬底上外延生长III族氮化物及其在LED器件开发中的用途。通过PLD系统地审查了III族氮化物薄膜的表面形貌，薄膜与基底之间的界面性质以及晶体质量。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。这篇综述着重于通过PLD在热活性衬底上外延生长III族氮化物及其在LED器件开发中的用途。通过PLD系统地审查了III族氮化物薄膜的表面形貌，薄膜与基底之间的界面性质以及晶体质量。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大机会热敏基板上的LED。对PLD生长的III族氮化物薄膜的晶体质量进行了系统的综述。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。对PLD生长的III族氮化物薄膜的晶体质量进行了系统的综述。还深入讨论了相应的解决方案，以解决大尺寸基板上的膜均质性，缺陷控制以及通过PLD生长InGaN膜的问题，并介绍了一些新近开发的PLD技术，以实现LED结构，这为PLD的商业化提供了巨大的机会。热敏基板上的LED。