Growth of molybdenum disulfide at 275 °C and monolithic integration of 2D transistors with silicon complementary metal oxide semiconductor circuits have been demonstrated.

中文翻译：

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CMOS 晶圆上的低温 MoS2 生长

已经证明了二硫化钼在 275 °C 下的生长以及二维晶体管与硅互补金属氧化物半导体电路的单片集成。