In this work, the electrical performance of the antimonene TFET is investigated using nonequilibrium Green’s function (NEGF) through a tight-binding approach. In the following, the effect of atom vacancy on the electrical behavior of the TFET is explored. The creation of the mid-gap state due to the vacancy is shown using the local density of states (LDOS) for the TFET and the density of states (DOS) for a ribbon. Furthermore, the effects of these mid-gap states on the ON-current, OFF-current, ON– OFF ratio, and subthreshold swing (SS) are discussed. Finally, the effect of the scaling in presence of vacancy is explored. The results show that a small vacancy percentage declines the SS while the variation of the ON– OFF ratio is negligible.

中文翻译：

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基于单层锑烯的隧道 FET：空位的作用,基于单层锑烯的隧道 FET：空位的作用

在这项工作中，通过紧束缚方法使用非平衡格林函数 (NEGF) 研究了锑烯 TFET 的电性能。下面探讨原子空位对 TFET 电学行为的影响。使用 TFET 的局部状态密度 (LDOS) 和条带的状态密度 (DOS) 显示了由于空位导致的中间间隙状态的创建。此外，还讨论了这些中间间隙状态对导通电流、关断电流、开-关比和亚阈值摆幅 (SS) 的影响。最后，探讨了存在空缺时缩放的影响。结果表明，小的空置百分比会降低 SS，而 ON-OFF 比的变化可以忽略不计。,在这项工作中，通过紧束缚方法使用非平衡格林函数 (NEGF) 研究了锑烯 TFET 的电性能。下面探讨原子空位对 TFET 电学行为的影响。使用 TFET 的局部状态密度 (LDOS) 和条带的状态密度 (DOS) 显示了由于空位导致的中间间隙状态的创建。此外，还讨论了这些中间间隙状态对导通电流、关断电流、开-关比和亚阈值摆幅 (SS) 的影响。最后，探讨了存在空缺时缩放的影响。结果表明，小的空置百分比会降低 SS，而 ON-OFF 比的变化可以忽略不计。