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Corrections to “1-D Drift-Diffusion Simulation of Two-Valley Semiconductors and Devices”
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2022-09-23 , DOI: 10.1109/ted.2022.3198867 Markus Muller 1 , Philippe Dollfus 2 , Michael Schroter 1
IEEE Transactions on Electron Devices ( IF 3.1 ) Pub Date : 2022-09-23 , DOI: 10.1109/ted.2022.3198867 Markus Muller 1 , Philippe Dollfus 2 , Michael Schroter 1
Affiliation
In the above article [1]
, the numerator and denominator on the right-hand side of (12) should be interchanged to the following:
中文翻译：
更正“两谷半导体和器件的一维漂移扩散仿真”,更正“两谷半导体和器件的一维漂移扩散仿真”
在上面的文章中[1]
，（12）式右边的分子和分母应互换为：,在上面的文章中[1]
，（12）式右边的分子和分母应互换为：
更新日期：2022-09-27
中文翻译：
更正“两谷半导体和器件的一维漂移扩散仿真”,更正“两谷半导体和器件的一维漂移扩散仿真”
在上面的文章中
京公网安备 11010802027423号