We report a monolithic microwave integrated-circuit (MMIC) comb generator capable of producing a repetitive narrow pulse (7.1 ps pulse duration) with sharp edges (4.2 ps falling time). The circuit was designed in a 250 nm indium phosphide (InP) heterojunction bipolar transistor (HBT) technology using differential pairs. We characterized the output signal with a 110 GHz sampling oscilloscope and de-embedded the band-limited frequency spectrum of the pulse in the circuit reference plane. We measured a pulse duration of 7.1 ps and a peak amplitude of −0.333 V. In the frequency domain, the comb generator provided −48.7 dBm of output power at 110 GHz when the circuit is fed with a 1 GHz input signal.

中文翻译：

---

采用 250 nm InP HBT 技术的 110 GHz 梳状发生器

我们报告了一种单片微波集成电路 (MMIC) 梳状发生器，能够产生具有尖锐边缘（4.2 ps 下降时间）的重复窄脉冲（7.1 ps 脉冲持续时间）。该电路采用 250 nm 磷化铟 (InP) 异质结双极晶体管 (HBT) 技术设计，使用差分对。我们使用 110 GHz 采样示波器对输出信号进行了表征，并在电路参考平面中去嵌入了脉冲的带限频谱。我们测量了 7.1 ps 的脉冲持续时间和 -0.333 V 的峰值幅度。在频域中，当电路输入 1 GHz 输入信号时，梳状发生器在 110 GHz 下提供 -48.7 dBm 的输出功率。