Sub-100-mV switching at the nanosecond timescale is achieved in ferroelectric devices by approaching bulk-like perfection in prototypical BaTiO3 thin films.

中文翻译：

---

将一些体积带入铁电器件

通过在原型 BaTiO3 薄膜中接近块状完美，在铁电器件中实现了纳秒时间尺度的低于 100 mV 的切换。