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Electron Regulation of Single Indium Atoms at the Active Oxygen Vacancy of In2O3(110) for Production of Acetic Acid and Acetone through Direct Coupling of CH4 with CO2
Chemistry - An Asian Journal ( IF 4.1 ) Pub Date : 2022-01-27 , DOI: 10.1002/asia.202101383 Denghui Ma 1 , Zexing Cao 1
Chemistry - An Asian Journal ( IF 4.1 ) Pub Date : 2022-01-27 , DOI: 10.1002/asia.202101383 Denghui Ma 1 , Zexing Cao 1
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The replacement of single indium atoms by Ga and Al at the active oxygen vacancy (Ov) site of In2O3(110) surface can significantly facilitate the direct coupling of CO2 and CH4 to C2 and C3 products.
中文翻译：
In2O3(110) 活性氧空位上单个铟原子的电子调控通过 CH4 与 CO2 直接偶联生产乙酸和丙酮
在In 2 O 3 (110) 表面的活性氧空位(O v ) 位置用Ga 和Al取代单个铟原子可以显着促进CO 2和CH 4与C2 和C3 产物的直接耦合。
更新日期：2022-01-27
中文翻译：
In2O3(110) 活性氧空位上单个铟原子的电子调控通过 CH4 与 CO2 直接偶联生产乙酸和丙酮
在In 2 O 3 (110) 表面的活性氧空位(O v ) 位置用Ga 和Al取代单个铟原子可以显着促进CO 2和CH 4与C2 和C3 产物的直接耦合。
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