This article presents a detailed study on AlGaN/GaN based HEMT for DC (such as I_D − V_DS, I_D − V_GS and g_m), RF (such as cut off frequency, f_T and maximum oscillation frequency, f_MAX) and noise parameters (such as minimum noise figure (NF_min), noise resistance (R_n) and optimum reflection coefficient (Г_opt)). AlGaN/GaN based HEMT having gate length 250 nm and 500 nm have been simulated and verified on the Silvaco TCAD tool.

中文翻译：

---

用于低噪声和高频应用的基于 AlGaN/GaN 的 HEMT 的表征

本文详细介绍了基于 AlGaN/GaN 的 HEMT，用于 DC（例如I _D  −  V _DS、I _D  −  V _GS和g _m）、RF（例如截止频率f _T和最大振荡频率 f _MAX ) 和噪声参数（例如最小噪声系数 ( NF _min )、噪声电阻 ( R _n ) 和最佳反射系数 ( Г _opt )）。栅极长度为 250 nm 和 500 nm 的基于 AlGaN/GaN 的 HEMT 已在 Silvaco TCAD 工具上进行了模拟和验证。