The purpose of this paper is to examine the growth and characterization of the two different compound semiconductors, namely, n-zinc oxide (ZnO) and p-gallium antimonide (GaSb). In this paper, fabrication and characterization of n-ZnO/p-GaSb heterojunction diode is analyzed.,Thermo vertical direction solidification (TVDS) method was used to synthesize undoped GaSb ingot from high purity Ga (5N) and Sb (4N) host materials. Thermal evaporation technique is used to prepare a film of GaSb on glass substrate from the pre-synthesized bulk material by TVDS method. Undoped ZnO film was grown on GaSb film by sol–gel method by using chemical wet and dry (CWD) technique to fabricate n-ZnO/p-GaSb heterojunction diode.,The formation of crystalline structure and surface morphological analysis of both the GaSb bulk and film have been carried out by x-ray diffraction (XRD) analysis and scanning electron microscopy analysis. From the XRD studies, the structural characterization and phase identification of ZnO/GaSb interface. The current–voltage characteristic of the n-ZnO/p-GaSb heterostructure is found to be rectifying in nature.,GaSb film growth on any substrate by thermal evaporation method taking a small piece of the sample from the pre-synthesized GaSb bulk ingot has not been reported yet. Semiconductor device with heterojunction diode by using two different semiconductors such as ZnO/GaSb was used by this group for the first time.

中文翻译：

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n-ZnO/p-GaSb异质结二极管的制备和表征

本文的目的是研究两种不同的化合物半导体，即 n-氧化锌 (ZnO) 和 p-锑化镓 (GaSb) 的生长和表征。本文对n-ZnO/p-GaSb异质结二极管的制备和表征进行了分析，采用热垂直方向凝固（TVDS）方法从高纯度Ga（5N）和Sb（4N）主体材料合成未掺杂的GaSb锭. 热蒸发技术用于通过 TVDS 方法从预先合成的块体材料在玻璃基板上制备 GaSb 薄膜。使用化学湿法和干法 (CWD) 技术，通过溶胶-凝胶法在 GaSb 薄膜上生长未掺杂的 ZnO 薄膜，以制造 n-ZnO/p-GaSb 异质结二极管。GaSb 块体和薄膜的晶体结构形成和表面形态分析已通过 X 射线衍射 (XRD) 分析和扫描电子显微镜分析进行。从XRD研究，ZnO/GaSb界面的结构表征和相鉴定。发现 n-ZnO/p-GaSb 异质结构的电流 - 电压特性在本质上是整流的。，通过热蒸发方法在任何衬底上生长 GaSb 薄膜，从预先合成的 GaSb 块状铸锭中取出一小块样品具有还没有被报道。该小组首次使用了使用ZnO/GaSb等两种不同半导体的异质结二极管半导体器件。ZnO/GaSb 界面的结构表征和相识别。发现 n-ZnO/p-GaSb 异质结构的电流 - 电压特性在本质上是整流的。，通过热蒸发方法在任何衬底上生长 GaSb 薄膜，从预先合成的 GaSb 块状铸锭中取出一小块样品具有还没有被报道。该小组首次使用了使用ZnO/GaSb等两种不同半导体的异质结二极管半导体器件。ZnO/GaSb 界面的结构表征和相识别。发现 n-ZnO/p-GaSb 异质结构的电流 - 电压特性在本质上是整流的。，通过热蒸发方法在任何衬底上生长 GaSb 薄膜，从预先合成的 GaSb 块状铸锭中取出一小块样品具有还没有被报道。该小组首次使用了使用ZnO/GaSb等两种不同半导体的异质结二极管半导体器件。