Sub-1-nm vertical field-effect transistors can be created by transferring pre-made metal film contacts onto two-dimensional materials.

中文翻译：

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具有低于1nm沟道的垂直晶体管

通过将预制的金属膜触点转移到二维材料上，可以创建低于1纳米的垂直场效应晶体管。