In this letter, an improved small-signal equivalent circuit model of InP heterojunction bipolar transistors (HBTs) for millimeter-wave applications is presented. The proposed small-signal model takes into account the parasitic effect in the collector part which can effectively improve the accuracy of S parameter. In the frequency range of 2–110 GHz, good agreements between the measured and model-calculated data can be achieved to demonstrate good modeling accuracy.

中文翻译：

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用于毫米波应用的改进的 InP HBT 小信号模型

在这封信中，介绍了用于毫米波应用的 InP 异质结双极晶体管 (HBT) 的改进小信号等效电路模型。所提出的小信号模型考虑了集电极部分的寄生效应，可以有效提高S参数的精度。在 2–110 GHz 的频率范围内，可以实现测量数据和模型计算数据之间的良好一致性，以证明良好的建模精度。