该理论仿真论文介绍了基于以下条件的〜1550 nm绝缘体上硅（SOI）以及〜2000 nm Ge-on-Si-on-Si氮化物和Ge-on-氮化物2×2光学交叉开关的设计和预期性能。一种三波导耦合器，其中中央波导是由热光（TO）效应驱动的纳米束。TO加热器条位于中央纳米束的顶部。为了实现准确而逼真的设计，采用了3D时域有限差分法。评估了交叉开关，插入损耗（IL）和串扰（CT）的指标，以选择3波导结构参数和TO引起的折射率变化。预测的IL和CT优异的性能，使设计的器件被视为波分复用交叉连接（WXC）应用中的基本构件。这里提出的紧凑，无阻塞的空间和波长路由交换机将以单片，行业标准的SOI芯片（以及Ge-on-SON和GON芯片）构建。细节给出用于实现16×16×M λ WXCs以及可重新配置的，多谐振，可编程六边形和菱形的网格。



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