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Hall Coefficient of Semimetals
Physical Review Letters ( IF 8.385 ) Pub Date : 2021-02-19 , DOI: 10.1103/physrevlett.126.076603
Abhisek Samanta; Daniel P. Arovas; Assa Auerbach

A recently developed formula for the Hall coefficient [A. Auerbach, Phys. Rev. Lett. 121, 066601 (2018)] is applied to nodal line and Weyl semimetals (including graphene) and to spin-orbit split semiconductor bands in two and three dimensions. The calculation reduces to a ratio of two equilibrium susceptibilities, where corrections are negligible at weak disorder. Deviations from Drude’s inverse carrier density are associated with band degeneracies, Fermi surface topology, and interband currents. Experiments which can measure these deviations are proposed.

中文翻译:

半金属霍尔系数

最近开发的霍尔系数公式[A. 奥尔巴赫,物理学。莱特牧师 121,066601(2018)]被施加到节线和外尔半金属(包括石墨烯)和自旋-轨道分割半导体带在二维和三维。计算结果减少为两个平衡磁化率之比,其中弱微弱处的校正可忽略不计。与德鲁德反向载波密度的偏差与频带简并性,费米表面拓扑和带间电流有关。提出了可以测量这些偏差的实验。
更新日期:2021-02-19
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