We report the structural and electrical transport properties of Fe_1–x Cu _x Se (x = 0, 0.02, 0.05, 0.10) single crystals grown by a chemical vapor transport method. Substituting Cu for Fe suppresses both the nematicity and superconductivity of FeSe single crystal, and provokes a metal–insulator transition. Our Hall measurements show that the Cu substitution also changes an electron dominance at low temperature of un-doped FeSe to a hole dominance of Cu-doped Fe_1–x Cu _x Se at x = 0.02 and 0.1, and reduces the sign-change temperature (T_R ) of the Hall coefficient (R _H).

中文翻译：

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掺杂Cu的Fe _{1– x} Cu _x Se单晶的结构和电传输性质 国家重点研究发展计划（批准号：2018YFA0704200），国家自然科学基金（批准号：11834016）和中科院战略重点研究计划（批准号：XDB25000000）资助的项目。

我们报告了通过化学气相传输方法生长的Fe _{1- x} Cu _x Se（x = 0，0.02，0.05，0.10）单晶的结构和电传输特性。用Cu代替Fe可以抑制FeSe单晶的向列性和超导性，并引起金属-绝缘体的转变。我们的霍尔测量结果表明，在x = 0.02和0.1时，Cu取代还将未掺杂的FeSe在低温下的电子优势变为掺杂Cu的Fe ₁ - _x Cu _x Se的空穴优势，并降低了符号变化温度霍尔系数（R _H）的（T _R）。