Abstract In this framework, a novel Ge20+xSe80-x thin films ~890 nm, with (x = 5, 10, 15, 20, 25, and 30 at. %) were synthesized via thermally evaporation method at 298 K. The elemental ratios of Ge–Se thin films have been checked by EDX analysis and also the amorphous natural was confirmed through X-Ray Diffractometer, XRD. In thin films belonging to the glass chalcogenide, in the case of existence of interference in the optical measurements-namely, transmittance, T and reflectance, R spectra-often the dispersion refractive index, n ( λ ) and the thickness of the thin film, d were computed based on the spectrum of transmittance or reflectance and also the wavelength along with the optical measurements. In this work, the real optical constant n ( λ ) and film's thickness of Ge–Se thin films have been computed utilizing the wavelength measurements of the normal and slightly inclined incidence light solely. Then, the linear optical parameters such as Tauc's energy E g and Urbach's energy E e , the linear imaginary optical constant, namely, absorption index or extinction coefficient k e x , the linear dispersion parameters, namely, the single oscillator energy E o and the dispersion energy E d and the non-linear optical constant or so called the second-order of refractive index n 2 have been determined. The optical dispersion d n d λ , phase velocity v p , group velocity U g , Magneto-Optical Constant or Verdet coefficient V ( λ ) and the positions of the energy levels have been discussed in detail.

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Ge20+Se80-薄膜在垂直光和微倾斜光下的厚度、线性和非线性光学参数提取，用于光电器件

摘要 在此框架中，通过热蒸发法在 298 K 下合成了一种新型 Ge20+xSe80-x 薄膜~890 nm，具有 (x = 5, 10, 15, 20, 25, 和 30 at. %)。通过 EDX 分析检查了 Ge-Se 薄膜的比率，并且通过 X 射线衍射仪、XRD 确认了天然非晶态。在属于玻璃硫属化物的薄膜中，在光学测量中存在干涉的情况下——即透射率、T 和反射率、R 光谱——通常是色散折射率、n ( λ ) 和薄膜的厚度， d 是根据透射率或反射率的光谱以及波长以及光学测量值计算得出的。在这项工作中，实际光学常数 n ( λ ) 和薄膜' Ge-Se 薄膜的 s 厚度已单独使用法向和略微倾斜入射光的波长测量值计算出来。然后，线性光学参数如 Tauc 能量 E g 和 Urbach 能量 E e ，线性虚光学常数，即吸收指数或消光系数 kex ，线性色散参数，即单振子能量 E o 和色散能量E d 和非线性光学常数或所谓的二阶折射率n 2 已经确定。已经详细讨论了光色散 dnd λ 、相速度 vp 、群速度 U g 、磁光常数或 Verdet 系数 V ( λ ) 以及能级的位置。线性光学参数，如 Tauc 能量 E g 和 Urbach 能量 E e ，线性虚光学常数，即吸收指数或消光系数 kex ，线性色散参数，即单振子能量 E o 和色散能量 E d并且非线性光学常数或所谓的二阶折射率n 2 已经确定。已经详细讨论了光色散 dnd λ 、相速度 vp 、群速度 U g 、磁光常数或 Verdet 系数 V ( λ ) 以及能级的位置。线性光学参数，如 Tauc 能量 E g 和 Urbach 能量 E e ，线性虚光学常数，即吸收指数或消光系数 kex ，线性色散参数，即单振子能量 E o 和色散能量 E d并且非线性光学常数或所谓的二阶折射率n 2 已经确定。已经详细讨论了光色散 dnd λ 、相速度 vp 、群速度 U g 、磁光常数或 Verdet 系数 V ( λ ) 以及能级的位置。已经确定了单个振荡器能量 E o 和色散能量 E d 以及非线性光学常数或所谓的二阶折射率 n 2 。已经详细讨论了光色散 dnd λ 、相速度 vp 、群速度 U g 、磁光常数或 Verdet 系数 V ( λ ) 以及能级的位置。已经确定了单个振荡器能量 E o 和色散能量 E d 以及非线性光学常数或所谓的二阶折射率 n 2 。已经详细讨论了光色散 dnd λ 、相速度 vp 、群速度 U g 、磁光常数或 Verdet 系数 V ( λ ) 以及能级的位置。