As Rutherford Backscattering Spectrometry in Channeling mode (RBS/C) is an efficient technique for characterizing crystallographic defects, its computational simulation has drawn attention over the past several decades. Recently, a RBS/C simulation code based on the Binary Collision Approximation (BCA) called Rutherford Backscattering Simulation in Arbitrary Defective Crystals (RBSADEC) has been suggested and successfully applied to predict the RBS/C spectra from different damaged materials, whose structures were generated in high-dose ion irradiation atomistic simulations. In the present paper, we introduce new developments improving the flexibility of the developed software and its applicability to different types of materials. More precisely, we modified the algorithm describing the slowdown process of backscattered ions, added fitting parameters in the collision partner search routine, modified the routine taking into account target atom thermal vibrations and provided new descriptions of the ion beam divergence. As an example, the effect of the modifications on simulated RBS/C spectra is shown for an -oriented UO2 crystal analyzed with a 3.085 MeV He2+ ion beam. Some of these changes proved necessary to achieve satisfying agreement between simulations and experimental data. Similar observation was made for -oriented Si and -oriented GaAs crystals analyzed with a 1.4 MeV He+ ion beam. In these simulations, the modifications have also resulted in good agreement with experiment.

中文翻译：

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使用任意原子结构在通道模式下模拟卢瑟福背散射光谱的新进展

由于通道模式下的卢瑟福背向散射光谱法 (RBS/C) 是表征晶体缺陷的有效技术，因此其计算模拟在过去几十年中引起了人们的关注。最近，提出了一种基于二元碰撞近似 (BCA) 的 RBS/C 模拟代码，称为任意缺陷晶体中的卢瑟福背向散射模拟 (RBSADEC)，并成功应用于预测不同损坏材料的 RBS/C 光谱，其结构是生成的在高剂量离子辐射原子模拟中。在本文中，我们介绍了改进所开发软件的灵活性及其对不同类型材料的适用性的新进展。更准确地说，我们修改了描述背散射离子减速过程的算法，在碰撞伙伴搜索程序中添加了拟合参数，在考虑目标原子热振动的情况下修改了程序，并提供了离子束发散的新描述。例如，对于使用 3.085 MeV He2+ 离子束分析的定向 UO2 晶体，显示了修改对模拟 RBS/C 光谱的影响。事实证明，其中一些更改对于在模拟和实验数据之间实现令人满意的一致性是必要的。对用 1.4 MeV He+ 离子束分析的定向 Si 和定向 GaAs 晶体进行了类似的观察。在这些模拟中，修改也导致与实验的良好一致性。对于使用 3.085 MeV He2+ 离子束分析的定向 UO2 晶体，显示了修改对模拟 RBS/C 光谱的影响。事实证明，其中一些更改对于在模拟和实验数据之间实现令人满意的一致性是必要的。对用 1.4 MeV He+ 离子束分析的取向 Si 和取向 GaAs 晶体进行了类似的观察。在这些模拟中，修改也与实验非常吻合。对于使用 3.085 MeV He2+ 离子束分析的定向 UO2 晶体，显示了修改对模拟 RBS/C 光谱的影响。事实证明，其中一些更改对于在模拟和实验数据之间实现令人满意的一致性是必要的。对用 1.4 MeV He+ 离子束分析的定向 Si 和定向 GaAs 晶体进行了类似的观察。在这些模拟中，修改也导致与实验的良好一致性。