In this paper, a physically based two-dimensional analytical model of potential profile is proposed for both symmetric and asymmetric p-type-doped Double Gate Junctionless Field Effect Transistors ...

中文翻译：

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具有和不具有堆叠氧化物的 DG JLFET 电位分布的分析建模和验证

在本文中，针对对称和非对称 p 型掺杂双栅极无结场效应晶体管，提出了一种基于物理的电位分布二维分析模型。