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Integrated optical SSB modulation / frequency shifting using cascaded silicon MZM
IEEE Photonics Technology Letters ( IF 2.6 ) Pub Date : 2020-09-15 , DOI: 10.1109/lpt.2020.3014221 Mehedi Hasan , Omid Jafari , Xun Guan , Leslie A. Rusch , Sophie Larochelle , Trevor Hall
IEEE Photonics Technology Letters ( IF 2.6 ) Pub Date : 2020-09-15 , DOI: 10.1109/lpt.2020.3014221 Mehedi Hasan , Omid Jafari , Xun Guan , Leslie A. Rusch , Sophie Larochelle , Trevor Hall
A frequency conversion mixer or single side band modulator using two cascaded MZM is proven experimentally. The operation of the circuit is modelled by a transfer matrix approach and verified by simulation in support of the experiment. A 10 GHz shift of the optical carrier in both left and right direction is demonstrated. The residual sideband suppression relative to the enhanced sideband is 22 dB for the best cases. Numerical analysis shows that the circuit has 3-dB optical and 3-dB electrical intrinsic advantage over the functionally equivalent DP-MZM.
中文翻译:
使用级联硅 MZM 的集成光学 SSB 调制/频移
使用两个级联 MZM 的变频混频器或单边带调制器已通过实验证明。电路的操作通过传递矩阵方法建模,并通过仿真验证以支持实验。演示了光载波在左右方向上的 10 GHz 偏移。最佳情况下,相对于增强边带的残余边带抑制为 22 dB。数值分析表明,与功能等效的 DP-MZM 相比,该电路具有 3-dB 光学和 3-dB 电气固有优势。
更新日期:2020-09-15
中文翻译:
使用级联硅 MZM 的集成光学 SSB 调制/频移
使用两个级联 MZM 的变频混频器或单边带调制器已通过实验证明。电路的操作通过传递矩阵方法建模,并通过仿真验证以支持实验。演示了光载波在左右方向上的 10 GHz 偏移。最佳情况下,相对于增强边带的残余边带抑制为 22 dB。数值分析表明,与功能等效的 DP-MZM 相比,该电路具有 3-dB 光学和 3-dB 电气固有优势。