Abstract This study provides important insights in performance degradation of In2O3-MWCNTs (0.4 and 0.5 wt. %)-based DSSC using chemical-bath deposition technique. In2O3-MWCNTs (0.4 wt. %) exhibited the highest power conversion efficiency of 0.312% with low electron recombination rate, keff of 1256.72 s−1, and faster electron lifetime, τeff of 0.80 ms compared to In2O3-MWCNTs (0.5 wt. %). The energy band misalignment between the conduction band of In2O3 photoanode and FTO caused severe electron recombination in In2O3-MWCNTs (0.5 wt. %). Therefore, this study can be used as a benchmark of 0.4 wt. % as the optimum concentration of MWCNTs in In2O3 for DSSC.

中文翻译：

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In2O3-CNTs能带错位和形貌对染料敏化太阳能电池电子传输的影响

摘要 本研究为使用化学浴沉积技术降低基于 In2O3-MWCNT（0.4 和 0.5 重量％）的 DSSC 的性能提供了重要见解。In2O3-MWCNTs (0.4 wt. %) 表现出最高的功率转换效率为 0.312%，电子复合率低，keff 为 1256.72 s-1，与 In2O3-MWCNTs (0.5 wt. %) 相比，电子寿命更快，τeff 为 0.80 ms ）。In2O3 光阳极和 FTO 导带之间的能带错位导致 In2O3-MWCNTs (0.5 wt. %) 中严重的电子复合。因此，这项研究可以用作 0.4 wt 的基准。% 作为 DSSC 在 In2O3 中 MWCNTs 的最佳浓度。