Metal–semiconductor (MS) contacts are main aspects of almost all electronic circuit elements. Thus, contact mechanism and its electrical properties to develop a faster and more reliable electronic device should be known. The electrical characterization of MS devices (in terms of temperature-dependent and/or independent current–voltage (I–V), capacitance–voltage (C–V) and capacitance–frequency (C–f) measurements) is applied frequently in methods for determining the electrical properties and how it works and what the possible applications are. We prepared a program for basic electrical measurements and parameter extraction from these measurements of MS contacts. It is important to prepare and use such a program for a research laboratory, because electrical measurements must be made quickly after the production process and users should be able to carry out this process easily. This work can be discussed in two separate sections. The first section consists of a measurement system, automated instrument control program and data acquisition program (SeCLaS-IC Semiconductors Laboratory Software—instrument control). The second section is data evaluation and basic electrical parameter extraction program (SeCLaS-PC Semiconductors Laboratory Software—parameter calculation). In this paper, we discussed temperature-dependent current–voltage (I–V–T), capacitance–voltage (C–V–T) and capacitance–frequency (C–V–f) measurement system and instrument control program. This system is comprised of controlling program, liquid nitrogen (LN₂)-cooled handmade cryostat system, temperature measurement system, and Keysight B2912A Precision Source/Measure Unit (SMU) and Keysight E4980A Precision LCR Meter. All programs were developed using Keysight VEE Pro (Visual Engineering Environment) software (Formerly Agilent VEE Pro).

金属-半导体（MS）触点是几乎所有电子电路元件的主要方面。因此，应该知道用于开发更快和更可靠的电子设备的接触机构及其电性能。方法中经常采用MS设备的电气特性（根据温度和/或独立的电流-电压（IV），电容-电压（C-V）和电容-频率（C-f）测​​量）用于确定电性能及其工作方式以及可能的用途。我们准备了一个用于基本电气测量和从这些MS触点测量中提取参数的程序。为研究实验室准备并使用此类程序非常重要，因为必须在生产过程之后迅速进行电气测量，并且用户应该能够轻松地执行此过程。可以在两个单独的部分中讨论这项工作。第一部分包括测量系统，自动化仪器控制程序和数据采集程序（SeCLaS-IC Semiconductors实验室软件-仪器控制）。第二部分是数据评估和基本电参数提取程序（SeCLaS-PC Semiconductors实验室软件-参数计算）。在本文中，我们讨论了温度相关的电流-电压（I–V–T），电容-电压（C–V–T）和电容-频率（C–V–f）测量系统和仪器控制程序。该系统由控制程序，液氮（LN 可以在两个单独的部分中讨论这项工作。第一部分包括测量系统，自动化仪器控制程序和数据采集程序（SeCLaS-IC Semiconductors实验室软件-仪器控制）。第二部分是数据评估和基本电参数提取程序（SeCLaS-PC Semiconductors实验室软件-参数计算）。在本文中，我们讨论了温度相关的电流-电压（I–V–T），电容–电压（C–V–T）和电容–频率（C–V–f）测量系统和仪器控制程序。该系统由控制程序，液氮（LN 可以在两个单独的部分中讨论这项工作。第一部分包括测量系统，自动化仪器控制程序和数据采集程序（SeCLaS-IC Semiconductors实验室软件-仪器控制）。第二部分是数据评估和基本电参数提取程序（SeCLaS-PC Semiconductors实验室软件-参数计算）。在本文中，我们讨论了温度相关的电流-电压（I–V–T），电容–电压（C–V–T）和电容–频率（C–V–f）测量系统和仪器控制程序。该系统由控制程序，液氮（LN 第二部分是数据评估和基本电参数提取程序（SeCLaS-PC Semiconductors实验室软件-参数计算）。在本文中，我们讨论了温度相关的电流-电压（I–V–T），电容–电压（C–V–T）和电容–频率（C–V–f）测量系统和仪器控制程序。该系统由控制程序，液氮（LN 第二部分是数据评估和基本电参数提取程序（SeCLaS-PC Semiconductors实验室软件-参数计算）。在本文中，我们讨论了温度相关的电流-电压（I–V–T），电容–电压（C–V–T）和电容–频率（C–V–f）测量系统和仪器控制程序。该系统由控制程序，液氮（LN₂）冷却的手工低温恒温器系统，温度测量系统以及Keysight B2912A精密信号源/测量单元（SMU）和Keysight E4980A精密LCR表。所有程序都是使用Keysight VEE Pro（可视化工程环境）软件（以前称为Agilent VEE Pro）开发的。