Abstract A series of different mass ratio of SnIn4S8/g-C3N4 hybrids are fabricated via a low temperature co-precipitation method and cobalt phthalocyanine dye sensitized SnIn4S8/g-C3N4 composites (CoPc-SnIn4S8/g-C3N4) obtained through an ultrasonic impregnation method. The existence of CoPc structure over SnIn4S8/g-C3N4 sample has been characterized via XRD, SEM, FT-IR, XPS etc. The vital research of samples on photocatalytic activity is detected by the means of the diffuse reflection spectroscopy (DRS), thermal gravity and differential thermal gravity (TG-DTG) analysis and photoluminescence (PL). The results of photo-degradation activities and hydrogen production abilities confirm that 25 %-SnIn4S8/g-C3N4 composites possess better photocatalytic ability than pure SnIn4S8 or g-C3N4 sample. Besides, the 0.5844 mg CoPc sensitized 50 mg of 25 %-SnIn4S8/g-C3N4 composites (11.6‰ CoPc-25/Sn-C, mass ratio) exhibit the maximum value of H2 evolution around 636.99 μmol g−1 h−1, being 1.35 times as high as the value of 25 %-SnIn4S8/g-C3N4 composites. What’s more, during the degradation process of malachite green (MG), 11.6‰ CoPc-25/Sn-C composites possess highest kapp value of around 0.02086 min-1, which is 2.67 times as much value as the 25 %-SnIn4S8/g-C3N4 composite owns. It can be concluded that not only the incorporation of SnIn4S8 strengthen the utilization of solar energy but also the CoPc dye accelerate the rate of electron migration. Furthermore, the potential photocatalytic mechanism has been proposed.

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钴酞菁敏化SnIn4S8/g-C3N4复合材料的构建具有增强的光催化降解和制氢性能

摘要 采用低温共沉淀法制备了一系列不同质量比的 SnIn4S8/g-C3N4 杂化物，并通过超声浸渍法获得钴酞菁染料敏化的 SnIn4S8/g-C3N4 复合材料（CoPc-SnIn4S8/g-C3N4）。 . 通过 XRD、SEM、FT-IR、XPS 等表征了 SnIn4S8/g-C3N4 样品上 CoPc 结构的存在。样品对光催化活性的重要研究是通过漫反射光谱 (DRS)、热重力和差热重力 (TG-DTG) 分析和光致发光 (PL)。光降解活性和产氢能力的结果证实，25%-SnIn4S8/g-C3N4 复合材料比纯 SnIn4S8 或 g-C3N4 样品具有更好的光催化能力。此外，0。5844 mg CoPc 敏化 50 mg 25 %-SnIn4S8/g-C3N4 复合材料（11.6‰ CoPc-25/Sn-C，质量比）表现出 H2 释放的最大值约为 636.99 μmol g−1 h−1，是 1.35 倍高达 25%-SnIn4S8/g-C3N4 复合材料的值。此外，在孔雀石绿（MG）降解过程中，11.6‰CoPc-25/Sn-C复合材料的kapp值最高，约为0.02086 min-1，是25%-SnIn4S8/g的2.67倍-C3N4 复合物拥有。可以得出结论，不仅SnIn4S8 的掺入加强了太阳能的利用，而且CoPc 染料加快了电子迁移的速度。此外，还提出了潜在的光催化机制。是 25%-SnIn4S8/g-C3N4 复合材料的 35 倍。此外，在孔雀石绿（MG）降解过程中，11.6‰CoPc-25/Sn-C复合材料的kapp值最高，约为0.02086 min-1，是25%-SnIn4S8/g的2.67倍-C3N4 复合物拥有。可以得出结论，不仅SnIn4S8 的掺入加强了太阳能的利用，而且CoPc 染料加快了电子迁移的速度。此外，还提出了潜在的光催化机制。是 25%-SnIn4S8/g-C3N4 复合材料的 35 倍。此外，在孔雀石绿（MG）降解过程中，11.6‰CoPc-25/Sn-C复合材料的kapp值最高，约为0.02086 min-1，是25%-SnIn4S8/g的2.67倍-C3N4 复合物拥有。可以得出结论，不仅SnIn4S8 的掺入加强了太阳能的利用，而且CoPc 染料加快了电子迁移的速度。此外，还提出了潜在的光催化机制。可以得出结论，不仅SnIn4S8 的掺入加强了太阳能的利用，而且CoPc 染料加快了电子迁移的速度。此外，还提出了潜在的光催化机制。可以得出结论，不仅SnIn4S8 的掺入加强了太阳能的利用，而且CoPc 染料加快了电子迁移的速度。此外，还提出了潜在的光催化机制。