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Lowering the threshold for bioelectronics.
Nature Materials ( IF 41.2 ) Pub Date : 2020-03-16 , DOI: 10.1038/s41563-020-0623-x Scott Keene 1 , Yoeri van de Burgt 2
Nature Materials ( IF 41.2 ) Pub Date : 2020-03-16 , DOI: 10.1038/s41563-020-0623-x Scott Keene 1 , Yoeri van de Burgt 2
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A high-speed, high-gain enhancement-mode ion-gated transistor shows promise for low-power chronically implanted bioelectronic systems.
中文翻译:
降低生物电子学的门槛。
高速,高增益增强模式离子门控晶体管显示了低功率长期植入生物电子系统的前景。
更新日期:2020-04-24
中文翻译:
降低生物电子学的门槛。
高速,高增益增强模式离子门控晶体管显示了低功率长期植入生物电子系统的前景。