因为CRC／3DS架构 DDR4数据传输性能／可靠度跃升
相较前一代记忆体规格，第四代双倍资料率(DDR4)新增超过二十种功能，其中，采用循环冗余校验码(CRC)和立体矽堆叠(3DS)技术更是重大变革，前者可即时检测资料汇流排上的错误讯息，提升可靠度；后者对提升时序和功率效能则大有帮助。
随着标准不断演进，新一代记忆体规范通常着重于提升资料传输速率，其他方面仅略做调整，但第四代双倍资料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相时，便新增超过二十种功能，比先前DDR规格足足多一倍。
前几代的DDR规格创新，主要目标是提供更快速度或更广泛的应用，然而，为使低耗能效益持续有所改善，DDR产品须进行更大的设计变革；新一代的DDR4不仅提高速度，也拓展市场广度，以下列举几项DDR4的重大变革。
新增CRC验证机制 DDR4可检测资料汇流排错误
首先，DDR4在可靠性和制造技术方面都大幅改进，让DDR测试变得更方便。举例来说，DDR4新增写入资料时的循环冗余校验码(Cyclic Redundancy Check,CRC)，可即时检测资料汇流排上的错误讯息，一旦发现CRC错误，且写入资料被删除，便很可能是读取错误。然而，在汇流排上进行CRC运算验证，将能在 传输资料时检测错误讯息，这对资料写入和非除错Non-ECC记忆体应用有很大的帮助。
另外，当动态随机存取记忆体(DRAM)侦测到CRC错误，如很短的低电压脉冲，它会将ALERT_n值标记为低值(Low)，并将CRC错误标志MR5，以及CRC错误状态MPR设定为1；接着，在CRC错误被删除之前，MR5必须重设为0，或将其清除；由于CRC错误和C/A奇偶校验错误会产生相同错误代码，即ALERT_n LOW，因此，如何判断错误类型，有赖于联合电子设备工程委员会(JEDEC)所提出的解决之道。
透过JEDEC的解决方案，设计工程师可由错误持续的时间长度，来分辨产生的究竟是哪种错误。若低值持续六至十个时脉周期，是CRC错误；如果持续了四十八 至一百四十四个时脉周期，则为C/A 奇偶校验错误。透过C/A奇偶校验功能，可让工程师以低成本方式，进而确认链路上的指令和位址汇流排对称性。
善用状态分析 DDR4除错效率大增
DDR4的最大挑战，或许是如何在DIMM/SODIMM插槽上进行方便探量。由于DDR4采球栅阵列(BGA)封装，导致DDR3跟DDR4使用不同的DIMM及SODIMM插槽，因此，DDR4需要全新的探量方式。
然而，随着资料传输速率提升和电压下降，资料有效窗口变得更小，当资料有效窗口变小，临界值设定便成为有效量测时脉与时序模式的关键要素；时序模式是逻辑分析仪最基本的模式，可告知事件发生时间，并可对逻辑分析仪的内部时脉进行取样；不过，时序模式与DDR4系统不同步，因此只能提供有限的系统讯号流量资讯。
此外，状态分析同步，代表取样时脉来自待测装置(DUT)。而状态分析的目的是为了检查发生状况，用户可藉由追踪汇流排上的数值来得到所需资讯，透过这种方式，用户得以监控码流，快速找出功能问题。事实上，状态分析能够和待测装置一样看到DDR4指令、位址、资料与系统时脉之间的关系，实是准确检视DDR4活动的关键。
状态模式通常用于软体除错，以确保记忆体控制器和DRAM之正常运作。进行硬体除错和软硬体整合时，如果难以确定错误发生位置，也可使用状态模式；常来自待测装置的时脉产生后，工程师须进行准确的同步取样，如此能有助系统运作在错误出现时撷取资料。
不过，如欲准确撷取汇流排中的资料，逻辑分析仪的设定/保持时间(Setup/Hold Time)须短于资料有效窗口，系因资料有效窗口与汇流排时脉相对应的位置，会因不同类型的汇流排而异。而在DDR4速率下，准确撷取资料有效窗口变得更为复杂，其原因来自逻辑分析仪可用资料的有效窗口不断缩小，但利用该状态模式，可让使用者藉由监控码流，以及追踪汇流排上的数值，快速找出错误。
DDR4亦须发展新的交流参数测试方法。DDR4比DDR1快近五十倍，要达到这个速度，唯一方法是改变交流时序规格，然而更大的效能意味着更多重新设计，使产品符合严格规范的同时，也造成产品延迟进入市场、售价变得更高，这种情况自然没有任何记忆体公司乐见。
采行3DS架构 DDR4提升时序/传输效能
幸好DDR4藉由改变规格，沿用DDR3系统设计和时序策略以解决这些问题。事实上，所有DDR4规格的变化其实都隐含立体矽堆叠(3DS)的概念，在传统堆叠中，DRAM堆叠是为了减少整体电路所需的涂料，但在DDR4的高速下，传统堆叠有局限性；立体矽堆叠可增加密度，其架构由一个主要DRAM和多达八个从属的DRAM堆叠组成，甚至还能在单一载点上安装多达八个元件。
主DRAM也为从属DRAM提供屏障，让电力负荷维持在单一节点。由于3DS的阶级选取(Rank Selection)均经过编码，因此使用者能更有效率地使用接脚。同时3DS具有独特的单模暂存器介面，许多指令比如重设，其可同时广播给所有 DRAM；其他指令则仍然个别发送给不同DRAM，这些指令包括启动、读出、写入、预充电和刷新等。
DDR4改用立体矽堆叠，对提升时序和功率效能有很大帮助，不仅让用户工作效率大增，同时也满足突破性速度的需求。