比现代存储快1000 倍的英特尔3D内存3D XPoint

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英特尔和Micron共同发布的这个新的“3DXpoint”，本质上就是RRAM，称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍)，能比DRAM芯片储存更多数据，功耗比两者都低。

3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破，但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了，但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。英特尔和Micron花了超过10年时间研究3D Xpoint技术，两家公司在美国犹他州投资建立了一座工厂去生产3D Xpoint芯片样品。

据悉，这颗新晶片利用了两个新的技术：一个是可以改变电阻的一种晶体，对这种晶体施加电压可以改变它的电阻值，并在电压消失后继续保存着。如果我们把不同的电阻值视为数据的 0 或 1，那测量电阻值就可以知道这个晶体存放的资料是什么了。

第二个技术是称为“crosshatch”的电路结构，由垂直方向的多层细密电线交错而成，层与层之间连通上述的晶体。这种方式的资料储存是立体的，所以在密度上可以比普通的 NAND 高十倍，读写快千倍，而且也更耐久。这么一来，忆阻体可以有等同，或甚至超过DRAM 的表现，而且还是永久储存，不会因断电而损失资料。

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