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AlN螺旋中发现长余辉效应

哈尔滨工业大学宋波教授张幸红教授王一副教授分别从理论上和实验上对AlN螺旋结构中氮空位(VN)和铝间隙(Ali)耦合效应进行了研究。理论上,通过第一性原理计算预测了AlN中复合缺陷(VNAli)的595nm发光峰,并预测此复合缺陷可能会导致AlN的长余辉效应;实验上,采用物理气相传输法,首次在非故意掺杂的AlN螺旋结构中观察到了复合缺陷(VNAli)的600nm波长长余辉效应。


AlN螺旋结构的发光特性研究表明,AlN螺旋结构中长余辉效应由VNAli缺陷能级和VNAli缺陷密度共同决定。该研究进一步丰富了人们对AlN宽禁带半导体材料中缺陷性质的认识,为新型AlN基光学器件的设计和制备提供理论指导。


这一研究成果发表于《Nano Lett.》上。


http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.5b02300


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