哈尔滨工业大学的宋波教授,张幸红教授和王一副教授分别从理论上和实验上对AlN螺旋结构中氮空位(VN)和铝间隙(Ali)耦合效应进行了研究。理论上,通过第一性原理计算预测了AlN中复合缺陷(VNAli)的595nm发光峰,并预测此复合缺陷可能会导致AlN的长余辉效应;实验上,采用物理气相传输法,首次在非故意掺杂的AlN螺旋结构中观察到了复合缺陷(VNAli)的600nm波长长余辉效应。
AlN螺旋结构的发光特性研究表明,AlN螺旋结构中长余辉效应由VNAli缺陷能级和VNAli缺陷密度共同决定。该研究进一步丰富了人们对AlN宽禁带半导体材料中缺陷性质的认识,为新型AlN基光学器件的设计和制备提供理论指导。
这一研究成果发表于《Nano Lett.》上。
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.5b02300
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