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课题组2018级硕士研究生参加第二十二届全国半导体物理学术会议并做口头报道和海报展示
发布时间:2020-03-09

       2019年7月9日至12日,第二十二届全国半导体物理学术会议在杭州举行。会议由中国物理学会半导体物理专业委员会、浙江大学、中国科学院半

导体研究所主办,浙江大学物理学系、硅材料国家重点实验室联合承办。大会主席由中科院院士李树深、杨德仁共同担任,组委会主任由浙江大学教授

吴惠桢担任。
  开幕式上,杨德仁、浙江大学副校长严建华分别致辞。会议设有8个邀请报告,介绍了后摩尔时代微电子技术领域面临的挑战、利用范德瓦尔斯相

互作用实现人工二维异质结并制备高性能器件的新方法、溶液法制备半导体量子点过程中遇到的科学问题及解决方法、InAs/GaSb异质结构中的自旋量

子霍尔效应以及拓扑超流态的研究进展、室温下钙钛矿半导体中的极化激子凝聚现象、低维半导体器件在空间光电技术中的应用、使用光子纠缠态实现

量子通信和量子计算所面临的挑战等。今年恰逢国家最高科学技术奖获得者、中科院院士黄昆100周年诞辰,中科院院士朱邦芬作了专题纪念报告。

      我课题组2018级硕士研究生刘旭东、闫琳、张晓英在会上分别做了题为《磁性铁硅纳米点的高密度制备及外加磁场作用下电子输运特性研究》

《远程氢气等离子体诱导Fe-Si 化合物纳米点的高密度制备》《硅基锗外延层中堆垛层错的行成机理研究》《Ge1-xCx 的光电性质及力学性质研

究》的四篇学术报告,引发国内外学者的积极探讨和一致好评。