Appl. Catal. B发表课题组最新工作“Tungsten Induced Defects Control on BiVO4 Photoanodes for Enhanced Solar Water Splitting Performance and Photocorrosion Resistance“。该工作通过在BiVO₄与FTO基底之间引入 WO₃，WO₃一方面提高半导体电子传输，另一方面制备过程中W掺杂到BiVO₄引入本征半导体缺陷,，使得BiVO4表现出光激活特性，提高正面照射PEC性能。 

        第一作者为2019级硕士生刘淑杰。