单壁碳纳米管（SWCNTs）的水平阵列由于其优异的电学和热学性能，在新兴器件中显示出了巨大的应用潜力。利用高活性金属催化剂直接生长SWCNT水平阵列是实现大规模生产高密度SWCNT阵列的一种很有前途的方法之一。但金属残留物的后净化问题是一个不可避免的障碍。为了从根本上防止金属杂质，非金属催化剂被慢慢的开发，由于非金属催化剂的催化活性较低，非金属催化剂制备SWCNT水平阵列的生长效率往往被忽略，因此，提高非金属催化剂的生长效率是至关重要的。温州大学胡悦团队与香港城市大学林德武研究员等提出了一种播种策略，通过对石英基底进行可控的酸蚀刻过程以制备尺寸可调的氯化钾（KCl）催化剂。此外，由于可溶性氯化钾催化剂可以简单地通过水洗涤处理去除，从而成功制备了无污染的高密度SWCNT阵列。这种播种策略为探索可溶性盐催化剂，以促进的生长提供了一个重要的见解。

综上，该研究报道了一种播种策略，制备尺寸可调的KCl催化剂，用于10 tubes/μm密度的SWCNT阵列的高效生长。该播种策略可以通过动力学精确控制SWCNT的直径从而获得85％m-SWCNT。同时，94 at.% KCl催化剂可以通过简单的水洗涤过程显著去除，从而获得无污染的SWCNT阵列。这一成果近期发表在Small 期刊上，温州大学化学与材料工程学院硕士生王秀霞为本文第一作者，温州大学为第一通讯单位，通讯作者为温州大学胡悦教授、香港城市大学林德武研究员。