Nano Lett. | 选择性甲基化法制备半导体性单壁碳纳米管水平阵列

单壁碳纳米管具有完美的共轭管状结构与优异的物理及化学性质，在纳电子器件、能源存储及转换领域、功能复合材料以及催化剂载体等方面具有巨大的潜在应用前景。尤其在纳电子学领域，单壁碳纳米管被认为是后摩尔时代纳电子器件材料中最具潜力的材料之一。迄今为止，单壁碳纳米管已被广泛应用于许多电子器件，包括显示器、存储器、传感器、透明导电薄膜以及碳纳米管计算机等。然而，器件性能提高的基础在于材料，如何获得半导体性单壁碳纳米管水平阵列是解决单壁碳纳米管在纳电子学领域中真正应用的关键问题之一。同时，这也是目前单壁碳纳米管控制制备研究领域中最具有挑战性的问题之一。

为解决上述问题，温州大学黄少铭（现工作单位为广东工业大学）和胡悦团队提出了一种利用选择性甲基化法制备半导体性单壁碳纳米管水平阵列的方法。Nano Lett., 2019, DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b04219