英特尔近日正式公布其最新一代 18A（即1.8埃米，约1.8纳米级）先进制程工艺的核心技术细节，显示出其在性能、功耗与晶体管架构等多方面的显著进展。根据官方数据，18A 工艺相较当前主流的 Intel 3 工艺，可实现 性能提升约 25%，或在相同性能下实现 功耗降低达 36%，为高性能计算与低功耗芯片设计提供更大技术空间。

        这一代工艺的两大技术亮点是：
        1.RibbonFET（全环绕栅）晶体管架构，首次取代传统 FinFET，实现栅极对沟道的360°全面控制，从而增强电流调控能力，降低漏电；
        2.PowerVia（背面供电）技术，将电源通道从芯片正面“搬”到底部，减少信号干扰、释放布线空间，有效提升集成密度与能效比。

        英特尔表示，18A 工艺将于 2025年底实现量产，并率先应用于其下一代高性能客户端处理器 Panther Lake。该平台预计将成为面向 AI 推理、图形处理、边缘计算与数据中心等高端场景的关键产品。18A 不仅是英特尔制程路线图中的里程碑，也被视为其“IDM 2.0”战略中争取全球代工客户、重返制程领先地位的重要筹码。

参考内容：

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/intel-details-18a-process-technology-boosts-performance-by-25-percent-or-lowers-power-consumption-by-36-percent

https://www.intel.cn/content/www/cn/zh/homepage.html