Small研究论文：基于PdSe2/ZnIn2S4合金异质结的室温光电探测器和光电晶体管
发布时间：2024-07-28
由于其独特的光电性能，基于二维材料异质结的各类半导体器件受到广泛关注。然而，由于两种材料直接接触不紧密，在它们的界面上实现有效的电荷转移仍然是一个重大挑战。在本研究论文中，提出了一直合金异质结的概念：PdSe2的硒原子填充ZnIn2S4中的硫空位，两者之间形成共价结合，这种化学键合异质结可以显著增强光载流子的分离，在光电转换领域提供了显著的优势。作为演示，制造了一种基于PdSe2/ZnIn2S4异质结材料的双端光电探测器。该光电探测器在环境条件下表现出稳定的运行，在大光电流、高响应率（48.8mA W−1）和探测率（1.98×1011Jones）方面表现出卓越的性能。为了进一步验证异质结的优异光电性能，还制造了一个三端光电晶体管。受益于栅极电压调制，光电流被放大到毫安级，响应率提高到229.14 mA W−1。这些发现共同证明了化学键合PdSe2/ZnIn2S4合金异质结在未来光电应用中的巨大潜力。
论文题目：Room-Temperature High-Performance Photodetector and Phototransistor Based on PdSe2/ZnIn2S4 Alloy Heterojunctions
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