2025年10月19日，清华大学刘锴教授应课题组邀请来访，并作题为《二维半导体的掺杂调控与高性能神经形态器件》的学术报告。

        报告于上午11点在潇湘校区物理学院345会议室举行。伴随着现代信息技术和人工智能的高速发展，半导体产业开启亚10 nm节点时代，纳米电子器件亟需突破算力和功耗瓶颈，满足多功能化和智能化的应用需求。开发具有低结构复杂性、高性能、多功能以及低能耗的神经形态纳米电子器件势在必行。二维纳米材料通过范德华界面作用形成，具有纳米级甚至原子级厚度、无悬挂键的表面和宽范围的带隙，有望突破物理极限产生变革性的器件原理和技术。在本报告中，报告人介绍了近年来在MoS₂、MoTe₂等二维范德华材料的掺杂调控和新原理神经形态器件等方面的探索工作。通过这些研究，有望为新型智能电子材料和器件的研发探索出新的思路。