本课题组在过渡金属硫族化合物（Transition Metal Dichalcogenides, TMD）纳米材料研究方向上已公开及已提交的五项专利。内容涵盖TMD纳米管及纳米带的一步法合成、结构调控、异质结构建，以及基于这些材料的器件应用开发。具体包括：

专利1：过渡金属硫族化合物纳米管一步生长和结构可控的方法

公开号：CN118957761A

发明人：安钦伟 张雪洋

申请公布日：2024.11.15

专利2：金催化剂颗粒辅助制备多种过渡金属硫族化合物纳米带的方法

公开号：CN119411097A

发明人：安钦伟 张雪洋

申请公布日：2025.02.11

专利3：金催化剂颗粒辅助制备过渡金属硫族化合物异质结纳米管的方法

公开号：CN119411098A

发明人：安钦伟 张雪洋

申请公布日：2025.02.11

专利4：一种通过欧几里得螺旋-位错驱动外延生长和自发卷曲实现TMD纳米管的直接生长

发明人：安钦伟 张雪洋

已申请:2025.07.20

专利5：一种基于过渡金属硫族化合物纳米管的高性能场效应晶体管及其制备方法

发明人：安钦伟 张雪洋 李锋

已申请：2025.07.20

这些专利体现了团队在低维材料合成机理、异质结构设计及器件集成等方面的系统性探索和创新，为后续产业化及高端器件研发提供了坚实基础。