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Corrigendum: Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors
Nature Materials ( IF 41.2 ) Pub Date : 2018-01-23 , DOI: 10.1038/nmat5067 Xin Lin , Berthold Wegner , Kyung Min Lee , Michael A. Fusella , Fengyu Zhang , Karttikay Moudgil , Barry P. Rand , Stephen Barlow , Seth R. Marder , Norbert Koch , Antoine Kahn
Nature Materials ( IF 41.2 ) Pub Date : 2018-01-23 , DOI: 10.1038/nmat5067 Xin Lin , Berthold Wegner , Kyung Min Lee , Michael A. Fusella , Fengyu Zhang , Karttikay Moudgil , Barry P. Rand , Stephen Barlow , Seth R. Marder , Norbert Koch , Antoine Kahn
Corrigendum: Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors
中文翻译：
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限
更新日期：2018-01-23
Corrigendum: Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors, Published online: 23 January 2018; doi:10.1038/nmat5067
Corrigendum: Beating the thermodynamic limit with photo-activation of n-doping in organic semiconductors中文翻译：
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂突破热力学极限，在线发布：2018年1月23日; doi：10.1038 / nmat5067
更正：通过光激活有机半导体中的n掺杂来突破热力学极限
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