Abstract We report some recent results on thick heteroepitaxial growth of GaP on GaAs substrates and on orientation-patterned (OP) GaAs templates conducted in a hot-wall horizontal quartz reactor for Hydride Vapor Phase Epitaxy. The growths on the plain substrates resulted in up to 500 µm thick GaP with smooth surface morphology (RMS

中文翻译：

---

取向图案非线性光学材料的异质外延

摘要 我们报告了在 GaAs 衬底上厚异质外延生长 GaP 和在热壁卧式石英反应器中进行氢化物气相外延生长的定向图案 (OP) GaAs 模板的一些最新结果。平面基板上的生长导致高达 500 µm 厚的 GaP 具有光滑的表面形态（RMS