氧化刻蚀性方法实现厘米级单晶石墨烯的可控生长

华中科技大学的王帅教授使用氧化性刻蚀的方法实现厘米级单晶石墨烯的可控生长。该方法首先通过改进化学气相沉积系统，增加了净化管，在反应气流进入高温反应区前吸收了大部分含量不确定的水蒸气杂质，然后通过质量流量计精确通入的微量氧气，提高了石墨烯生长的稳定性，能够精确调控石墨烯的成核密度和生长速率，实现厘米级单晶石墨烯片的生长。该方法无需任何基底的前处理工艺，适合规模化的石墨烯薄膜生产。

这一研究结果发表于《Adv.Mater.》上。

http://onlinelibrary.wiley.com/resolve/doi?DOI=10.1002%2Fadma.201503705

原文标题：Oxidative-Etching-Assisted Synthesis of Centimeter-Sized Single-Crystalline Graphene