介电响应分子晶体是一类在外界刺激(温度、压力、光辐射、客体分子)下发生高-低介电状态相互转变的材料,在信息储存、信号处理、分子开关等现代电气、电子设备方面表现出巨大的应用潜力。从分子水平上来讲,介电转变通常是由晶体中极性组分的扭转或有序-无序相变引起的晶体极化取向改变而导致的。因此,选择合适的可旋转极性组分显得尤为重要。
理论上讲,为了达到实际应用的目的,介电响应材料应具有明显的双稳态行为,且在常温范围内表现出宽介电弛豫。目前文献中所报道的可旋转极性组分通常是离散的分子或离子,很难实现上述目的。最近,东南大学的孙柏旺、罗洋辉课题组设计合成了一种有机离子共晶([C2H6N5]+•[H2PO4]-) ([C2H5N5] =3,5-二氨基-1, 2, 4-三氮唑)。该晶体中有机阳离子[C2H6N5]+ 通过N-H…N作用形成1-D氢键桥联阳离子,而抗衡离子[H2PO4]-则通过O-H…O作用,形成2-D氢键桥联阴离子,两种离子进一步堆叠成3-D框架。随着温度的变化,3-D框架中的1-D阳离子发生非平行堆积-平行堆积旋转,而2-D阴离子发生120度的顺时针-逆时针旋转。这两种离子的旋转诱导了晶体的可逆相变及常温附近的高-低介电状态转化。同时,由于在低介电状态下存在较大的晶格阻力,晶体的介电转化伴随着超大的40 K介电弛豫。上述结果为新型介电体系的设计提供了较好的参考。
这一成果近期发表在The Journal of Physical Chemistry Letters 上,文章的第一作者是东南大学的青年教师罗洋辉,通讯作者是东南大学的孙柏旺教授。
该论文作者为:Yang-Hui Luo, Chen Chen, Dan-Li Hong, Xiao-Tong He, Jing-Wen Wang and Bai-Wang Sun
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Thermal-Induced Dielectric Switching with 40K Wide Hysteresis Loop Near Room Temperature
J. Phys. Chem. Lett., 2018, 9, 2158, DOI: 10.1021/acs.jpclett.8b00597
导师简介
罗洋辉
http://www.x-mol.com/university/faculty/49739
孙柏旺
http://www.x-mol.com/university/faculty/19283
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